samsung ddr4 64gb lrdimm 3200 1 2v
Модель:
RUR 28740
мес Тип памяти Ddr 4 Форм-фактор Lrdimm Объем одного модуля 64 Гб Количество модулей в комплекте 1 Суммарный объем 64 Гб Пропускная способность 25600 Мб/с Поддержка Ecc да Буферизованная (Регистровая) да Ean 2000991237520
Модель:
RUR 323
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Модель:
RUR 450
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Модель:
RUR 300
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Модель:
RUR 1050
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Модель:
RUR 191
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Модель:
RUR 369
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Модель:
RUR 193
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Модель:
RUR 731
1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
Модель:
RUR 731
1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
Модель:
RUR 103
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Модель:
RUR 372
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Модель:
RUR 157
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
Модель:
RUR 462
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21-32, напряжение 1.2 В
Модель:
RUR 195
1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
Модель:
RUR 258
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В