samsung ddr4 128gb rdimm 2933 1 2v
Модель:
RUR 87010
мес Тип памяти Ddr 4 Форм-фактор Rdimm Количество модулей в комплекте 1 Суммарный объем 128 Гб Пропускная способность 25600 Мб/с Поддержка Ecc да Буферизованная (Регистровая) да Количество контактов 288 Ean 2000338749853
Модель:
RUR 2962
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Модель:
RUR 1790
Карта памяти Samsung microSDXC 128GB EVO PLUS microSDXC Class 10 UHS-I, U3 + SD адаптер MB-MC128KA/EU
Модель:
RUR 90
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
Модель:
RUR 4620
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, напряжение 1.2 В
Модель:
RUR 13170
мес Тип памяти Ddr 4 Форм-фактор Rdimm Объем одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Суммарный объем 32 Гб Пропускная способность 25600 Мб/с Поддержка Ecc да Буферизованная (Регистровая) да Количество контактов 288
Модель:
RUR 13170
мес Тип памяти Ddr 4 Форм-фактор Rdimm Объем одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Суммарный объем 32 Гб Пропускная способность 25600 Мб/с Поддержка Ecc нет Количество контактов 288
Модель:
RUR 23810
мес Тип памяти Ddr 4 Форм-фактор Rdimm Объем одного модуля 64 Гб Количество модулей в комплекте 1 Суммарный объем 64 Гб Пропускная способность 25600 Мб/с Поддержка Ecc да Буферизованная (Регистровая) да Количество контактов 288
Модель:
RUR 13170
мес Тип памяти Ddr 4 Форм-фактор Rdimm Объем одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Суммарный объем 32 Гб Пропускная способность 25600 Мб/с Поддержка Ecc да Количество контактов 288
Модель:
RUR 13230
мес Тип памяти Ddr 4 Форм-фактор Rdimm Объем одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Суммарный объем 32 Гб Пропускная способность 25600 Мб/с Поддержка Ecc да Буферизованная (Регистровая) да Количество чипов каждого модуля 18 Количество контактов 288
Модель:
RUR 323
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Модель:
RUR 450
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Модель:
RUR 300
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Модель:
RUR 1050
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Модель:
RUR 191
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Модель:
RUR 369
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В